AIサーバーの電力課題を解決！ローム「RY7P250BM」パワーMOSFETがなぜ重要なのか？

マウザーがロームの新型パワーMOSFET「RY7P250BM」の取り扱いを開始
AIサーバーの電力効率と信頼性を向上
既存システムへの容易な導入と高い性能
AI Workstyle Lab編集部コメント

マウザーがロームの新型パワーMOSFET「RY7P250BM」の取り扱いを開始

マウザー・エレクトロニクスは、ローム株式会社の新型パワーMOSFET「RY7P250BM」の取り扱いを開始しました。この製品は、AIサーバー、データセンター、産業機器、エネルギー貯蔵といった用途で利用される48V電源システムのホットスワップ回路に特化して最適化されています。

AIサーバーの電力効率と信頼性を向上

生成AIや高性能GPUの電力効率と電流への要求が高まる中、ロームの最新MOSFETは、広範な安全動作領域（SOA）を備えることで、高電圧に耐えつつ、突入電流や過負荷から回路を確実に保護します。これにより、10msで16A、1msで50Aの電流供給を可能にし、従来のMOSFETでは対応が困難だった高負荷環境下でも安定した動作を実現します。結果として、システム全体の信頼性と効率が大きく向上することが期待されます。

既存システムへの容易な導入と高い性能

「RY7P250BM」は、既存設計へのドロップイン置き換えが可能であり、システムの電源をオンにしたまま安全にモジュール交換が行える利便性を提供します。主な仕様として、ドレイン-ソース間電圧（VDSS）100V、ドレイン電流（ID）±300A、電力損失（PD）340Wを有し、これらすべてがコンパクトな8080サイズのパッケージに収められています。

さらに、本製品は業界トップクラスの低オン抵抗1.86mΩ（VGS=10V、ID=50A、Tj=25°C）を実現しています。これは、同サイズの従来型広範囲SOA対応100V MOSFET（2.28mΩ）と比較して約18％低い値です。この低オン抵抗により、ホットスワップコントローラ（HSC）やAIサーバーでの使用時における電力損失と発熱を最小限に抑え、運用コストの削減とシステムの安定稼働に寄与します。

ロームRY7P250BM パワーMOSFETの詳細は、以下のリンクで確認できます。
https://www.mouser.jp/new/rohm-semiconductor/rohm-ry7p250bm-power-mosfet

マウザーの最新ニュースや新製品情報については、以下をご覧ください。
https://www.mouser.jp/newsroom/

AI Workstyle Lab編集部コメント

今回のロームの新型パワーMOSFET「RY7P250BM」は、特にAIサーバーやデータセンターを運用する企業にとって、非常に大きな意味を持つと考えられます。生成AIの普及に伴い、高性能GPUへの電力供給はますます重要度を増しており、本製品が実現する電力損失の低減と信頼性の向上は、運用コストの削減と安定稼働に直結します。これにより、AIインフラ投資のROIを高め、より持続可能なデータセンター運営を可能にするでしょう。今後のAI技術の発展を支える、まさに「縁の下の力持ち」となる技術革新です。様々な産業におけるAI活用を加速させる基盤となることに期待が寄せられます。

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