セミナーの概要
脱炭素社会の実現とAI技術の進展に伴い、次世代自動車の電動化とデータセンターの電力消費効率向上が喫緊の課題となっています。これらの進展には、高性能なパワーデバイスが不可欠であり、特に新材料を用いたSiCやGaNパワーデバイスへの期待が高まっています。しかし、現状では性能、信頼性、コストの面で市場の要求に十分応えられていない側面もあります。
本セミナーでは、これらの課題を克服し、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及させるためのポイントが解説されます。強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向も踏まえながら、次世代設計の要点や最新の構造、プロセス、実装技術が網羅されます。
開催詳細
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テーマ: 次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題
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開催日時: 2026年2月10日（火）10:30～16:30
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形式: Zoomによるライブ配信（資料付）
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講師: 岩室 憲幸 氏（筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授）
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受講料:
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一般: 55,000円（税込）
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メルマガ会員: 49,500円（税込）
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アカデミック: 26,400円（税込）
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申込み方法: 株式会社シーエムシー・リサーチのセミナーサイトよりお申し込みください。
セミナーで得られる知識
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データセンター用電源やxEVにおけるパワーデバイスの利用方法
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パワーデバイス全体の最新技術動向
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Si、SiC、GaNデバイスおよび実装の最新技術
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Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術
セミナー対象者
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パワーエレクトロニクス開発担当者
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パワーデバイス開発担当者
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パワーエレクトロニクス機器販売担当者
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パワーデバイス販売担当者
セミナープログラム
本セミナーでは、以下の内容が予定されています（途中休憩あり）。
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パワーエレクトロニクスとは？
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パワエレとパワーデバイスの役割
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パワーデバイスの種類と基本構造
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パワーデバイスの適用分野
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高周波動作のメリット
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パワーデバイス開発のポイント
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最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
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MOSFET・IGBT開発のポイント
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特性向上への挑戦
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MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
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最新のMOSFET・IGBT技術：特性改善が進むシリコンデバイス
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新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
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SiCパワーデバイスの現状と課題
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ワイドバンドギャップ半導体とは
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SiCのSiに対する利点
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SiC-MOSFETプロセス
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SiCデバイス普及拡大のポイント
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SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
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最新SiC-MOSFET技術
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GaNパワーデバイスの現状と課題
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GaNデバイス構造における「横型GaN on Si」が主流である理由
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GaN-HEMTの特徴と課題
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GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
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GaNパワーデバイスの強みと弱み
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縦型GaNデバイスの最新動向
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高温対応実装技術
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高温動作のメリット
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SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
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重要性を増すSiC-MOSFETモジュール開発
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講師紹介：岩室 憲幸 氏
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授。1998年に博士（工学）を取得後、富士電機株式会社にてIGBTおよびWBGデバイスの研究開発に従事。産業技術総合研究所でのSiC-MOSFET、SBDの研究を経て、2013年より筑波大学教授を務めています。IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員として活躍されており、パワー半導体分野における多数の著書があります。
その他の関連ウェビナー
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AI Workstyle Lab編集部コメント
今回のSiC/GaNパワーデバイスに関するセミナーは、特に電動車（xEV）やデータセンターといった成長分野に携わる企業にとって、非常に価値のある情報源となるでしょう。これらの次世代パワーデバイスは、システム全体の高効率化と小型化を実現し、結果として製品の競争力向上や運用コスト削減に直結します。技術の深い理解は、新たなビジネスチャンスの創出やサプライチェーンにおける優位性の確立にも繋がるため、開発者だけでなく、事業戦略を立案する経営層や営業担当者にも受講を推奨したい内容です。未来の産業を形作る上で不可欠な技術動向を捉える良い機会と言えます。
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本記事は、各社の公式発表および公開情報を基に、AI Workstyle Lab編集部が 事実確認・再構成を行い作成しています。一次情報の内容は編集部にて確認し、 CoWriter（AI自動生成システム）で速報性を高めつつ、最終的な編集プロセスを経て公開しています。
