AIデータセンターの電力課題解決に貢献
生成AIの普及に伴い、AIデータセンターの電力需要は急増しています。ヘテロスタックスは、電力変換損失の低減を通じて省エネルギー化を実現し、持続可能なデジタル社会の構築に貢献することを目指しています。
ヘテロスタックスは、大阪公立大学発のスタートアップであり、異なる半導体材料を直接接合する「異種接合アーキテクチャ」を開発しています。この技術により、従来の単一材料デバイスでは両立が困難だった低損失化、高信頼性、低コスト化の実現を目指しています。
データセンターの電力消費量増加に加え、EV（電気自動車）、再生可能エネルギー、産業機器の電動化が進む中で、電力を効率よく変換・制御するパワー半導体の重要性が高まっています。ヘテロスタックスが開発するSi/SiC接合型トランジスタ「SABFET™」およびSi/SiC接合型ダイオード「JGSD™」は、シリコンの高い制御性・信頼性と、シリコンカーバイドの高耐圧・低抵抗特性を組み合わせることで、既存のパワー半導体が抱えるトレードオフの克服に挑んでいます。これらのデバイスは、データセンター電源をはじめとする中・高耐圧領域において、電力変換損失の低減に貢献することが期待されています。
代表取締役CEOの佐々木 公平氏は、酸化ガリウム（Ga₂O₃）などの次世代半導体材料・デバイスの研究開発に長年従事し、国家プロジェクトの推進や事業化を主導してきました。同社は、異種材料接合とパワー半導体デバイス設計の知見を組み合わせ、AI・電動化社会の電力制約を解決する日本発の次世代パワー半導体アーキテクチャの社会実装を目指しています。
資金調達の目的と将来展望
今回の調達資金は、JGSD™の高耐圧性能の実証、異種接合技術の高度化、SABFET™の要素技術確立、ならびに研究開発体制の強化等に充当されます。
UntroD Capital Japan株式会社 取締役の山家 創氏は、今回の投資について次のようにコメントしています。「パワー半導体は、AI・電動化社会の電力効率を左右する基盤技術です。ヘテロスタックスの異種接合アーキテクチャは、SiとSiCの強みを組み合わせることから出発し、将来的には材料の最適な組み合わせにより、単一材料デバイスの限界を超える可能性を持っています。日本発の新たなパワー半導体アーキテクチャを世界へ展開すべく、リアルテックファンドとして全力で支援してまいります。」
ヘテロスタックスのウェブサイトはこちらです。
AI Workstyle Lab編集部コメント
ヘテロスタックスの異種接合型パワー半導体は、従来の単一材料デバイスの性能限界を超える画期的なアプローチです。シリコンとシリコンカーバイドという異なる特性を持つ材料を直接接合することで、低損失化と高信頼性を両立させることが期待されます。特に、AIデータセンターの電力消費増大という喫緊の課題に対し、この技術が省エネルギー化に貢献する可能性は非常に大きいでしょう。今後、材料科学とデバイス設計のさらなる進化により、パワー半導体の性能は飛躍的に向上し、より持続可能なデジタルインフラの構築に不可欠な存在となることが予想されます。
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講師：栗須俊勝（AI総研）
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本記事は、各社の公式発表および公開情報を基に、AI Workstyle Lab編集部が 事実確認・再構成を行い作成しています。一次情報の内容は編集部にて確認し、 CoWriter（AI自動生成システム）で速報性を高めつつ、最終的な編集プロセスを経て公開しています。
